【精選下載】SiC MOSFET 臨界電壓的可靠量測
寬能隙裝置在電力電子技術中眾所周知。碳化矽 (SiC) 是一種發展潛力強大的材料,與矽基元件相比,其在增益效率和功率密度方面具有優勢,可提供高電壓和高電流。臨界電壓 (Vt) 是功率 MOSFET 的關鍵裝置特性參數。然而,使用 SiC MOSFET 進行臨界電壓量測存在可靠性問題,臨界電壓可能會根據先前的閘極偏壓而出現變化。這種臨
寬能隙裝置在電力電子技術中眾所周知。碳化矽 (SiC) 是一種發展潛力強大的材料,與矽基元件相比,其在增益效率和功率密度方面具有優勢,可提供高電壓和高電流。臨界電壓 (Vt) 是功率 MOSFET 的關鍵裝置特性參數。然而,使用 SiC MOSFET 進行臨界電壓量測存在可靠性問題,臨界電壓可能會根據先前的閘極偏壓而出現變化。這種臨
如何使切換損耗降至最低仍是從事 SiC 和 GaN 裝置工作的電源裝置工程師所面臨的主要挑戰。用於量測切換參數和評估 Si、SiC 和 GaN MOSFET 和 IGBT 動態行為的標準測試方法是雙脈衝測試 (DPT)在本隨選點播網路研討會中,您將:瞭解正確測試碳化矽 (SiC) 裝置的技術。檢閱建立雙脈衝測試設定的注意事項。概覽基本設備、設定、
深入瞭解 MIMO 和相控陣雷達行為請觀看我們示範相關的技術,以深入瞭解 MIMO 和相控陣雷達系統。您可以查看 SignalVu 軟體如何進行多個寬頻通道的同步擷取與分析,同時瞭解如何從一般訊號顯示以及進階脈衝分析中獲得深入洞察。您可查看:頻譜頻譜圖射頻與 IQ 與時間的關係時間概覽(Time Overview)此分析可在高達 70 GHz 的頻