【技術文檔】使用 JEDEC JEP183A 標準簡化閾值電壓測試
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碳化矽 (SiC) MOSFET 通常會表現出滯後效應，這主要是由於陷阱效應，會導致閾值電壓 (Vth) 發生偏移。這種閾值電壓差異會影響某些裝置參數，例如漏電流和導通電阻。為了解決滯後效應，JEDEC (聯合電子裝置工程委員會) 推出了 JEP183A 標準，該標準為 SiC MOSFET 裝置的閾值電壓量測提供了準則。4200A-SCS 參數分析儀與 Clar
碳化矽 (SiC) MOSFET 通常會表現出滯後效應，這主要是由於陷阱效應，會導致閾值電壓 (Vth) 發生偏移。這種閾值電壓差異會影響某些裝置參數，例如漏電流和導通電阻。為了解決滯後效應，JEDEC (聯合電子裝置工程委員會) 推出了 JEP183A 標準，該標準為 SiC MOSFET 裝置的閾值電壓量測提供了準則。4200A-SCS 參數分析儀與 Clar
MOSFET 是現代電子電路設計中最常見的電晶體裝置之一，主要用於切換和功率放大器應用。MOSFET 在電氣切換電路中具有出色的效能，因為這些裝置具有兩種相反的電氣特性：在關斷狀態下可控制極低的電流，而在導通狀態下則可控制一定量的電流。直流 I-V 特性分析目前仍是廣泛用於 MOSFET 裝置基本特性分析且不可或缺的方法。在最
AI、雲端運算以及資料密集型應用的快速擴張，資料中心網路的需求「正在重新定義」。 為了支援大規模平行處理與進階工作負載，系統架構師正採用 800G 與 1.6T 的高速乙太網路技術，這些技術是下一代 AI 伺服器與運算基礎架構通訊骨幹的關鍵推動力。 本次將重點介紹超高速乙太網路部署的最新進展與測試挑戰，包括： ● 每通
創新不止於設計 — 還延伸至驗證和生產階段，而執行速度和適應性更決定了創意傳達給世界的速度。MP5000 系列以無與倫比的靈活性、密度和自動化重新定義了這些階段，其模組化架構使工程師能夠根據不斷變化的需求配置、擴展和調整測試工作流程。本系列具備精巧的 1U 設計以及每個機箱最多支援 6 個通道等特性，為因應現今的挑
功率 MOSFET 裝置會根據其裝置結構、材料和運作原理而採用不同的技術。隨著這些特性發生變化，即有必要執行直流 I-V 特性分析。在 Tektronix，我們認為功率半導體裝置的特性分析程序必須安全、簡單且準確。追蹤輸出或傳輸特性應該變得簡單，並能在任何地點清晰地複製測試。在本應用摘要中，探索如何快速且輕鬆地測試兩個最關
